Flash Memory是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統中通常用于存放系統、應用和數據等。在PC系統中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動存儲設備也都是使用FlashMemory作為存儲介質。
 
根據硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示：
NAND FLASH讀取速度與NOR Flash相近，根據接口的不同有所差異；
NAND FLASH的寫入速度比NOR Flash快很多；
NAND FLASH的擦除速度比NOR Flash快很多；
NAND FLASH最大擦次數比NOR Flash多；
NOR Flash支持片上執(zhí)行，可以在上面直接運行代碼；
NOR Flash軟件驅動比NAND FLASH簡單；
NOR Flash可以隨機按字節(jié)讀取數據，NAND FLASH需要按塊進行讀取。
大容量下NAND FLASH比NOR Flash成本要低很多，體積也更小；
（注：NOR Flash和NAND FLASH的擦除都是按塊塊進行的，執(zhí)行一個擦除或者寫入操作時，NOR Flash大約需要5s，而NAND FLASH通常不超過4ms。）
 
1、NOR Flash
NOR Flash根據與CPU端接口的不同，可以分為Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH兩類。
 
Parallel NOR Flash可以接入到Host的SRAM/DRAMController上，所存儲的內容可以直接映射到CPU地址空間，不需要拷貝到RAM中即可被CPU訪問，因而支持片上執(zhí)行。SPI NOR FLASH的成本比Parallel NOR Flash低，主要通過SPI接口與Host連接。
 

 
鑒于NOR Flash擦寫速度慢，成本高等特性，NOR Flash主要應用于小容量、內容更新少的場景，例如PC主板BIOS、路由器系統存儲等。
 
2、NAND FLASH
 
NAND FLASH需要通過專門的NFI（NAND FLASH Interface）與Host端進行通信，如下圖所示：
 

 
NAND FLASH根據每個存儲單元內存儲比特個數的不同，可以分為SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三類。其中，在一個存儲單元中，SLC可以存儲1個比特，MLC可以存儲2個比特，TLC則可以存儲3個比特。
 
NAND FLASH的一個存儲單元內部，是通過不同的電壓等級，來表示其所存儲的信息的。在SLC中，存儲單元的電壓被分為兩個等級，分別表示0和1兩個狀態(tài)，即1個比特。在MLC中，存儲單元的電壓則被分為4個等級，分別表示00011011四個狀態(tài)，即2個比特位。同理，在TLC中，存儲單元的電壓被分為8個等級，存儲3個比特信息。
 

 
NAND FLASH的單個存儲單元存儲的比特位越多，讀寫性能會越差，壽命也越短，但是成本會更低。Table1中，給出了特定工藝和技術水平下的成本和壽命數據。
 
相比于NOR Flash，NAND FLASH寫入性能好，大容量下成本低。目前，絕大部分手機和平板等移動設備中所使用的eMMC內部的Flash Memory都屬于NAND FLASH。PC中的固態(tài)硬盤中也是使用NAND FLASH。